>>>>基于MEMS產(chǎn)線(xiàn)的IP模塊

MEMS即機(jī)電一體化設(shè)計(jì)，是近年來(lái)一種新興工藝流程，它是在一些硅基電路的基礎(chǔ)上，專(zhuān)門(mén)集成一些如專(zhuān)業(yè)傳感器等的微機(jī)械模塊，協(xié)同達(dá)到一定功能。

（一）

● 初賽截止時(shí)，需要向組委會(huì)提交《商業(yè)前景和市場(chǎng)分析報(bào)告》作為評(píng)審依據(jù)，報(bào)告格式為Word或PPT，報(bào)告內(nèi)容必須包括但不僅限于以下項(xiàng)：
1.首頁(yè)包含參賽作品名、參賽隊(duì)名、各隊(duì)員姓名（其中隊(duì)長(zhǎng)作為第一作者排在最前并寫(xiě)明職務(wù)）信息；
2.整體項(xiàng)目的背景說(shuō)明和商業(yè)前景說(shuō)明；

3.項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)成員背景詳述，可突出如是否有業(yè)界知名專(zhuān)家、是否有成功流片產(chǎn)品經(jīng)驗(yàn)、是否有該項(xiàng)目所在細(xì)分市場(chǎng)多年工作經(jīng)驗(yàn)等；
4.整體項(xiàng)目市場(chǎng)分析說(shuō)明，詳細(xì)描述該IP所在細(xì)分市場(chǎng)的當(dāng)前情況、未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)、當(dāng)前項(xiàng)目的定位優(yōu)勢(shì)（可以是技術(shù)優(yōu)勢(shì)、渠道優(yōu)勢(shì)、運(yùn)營(yíng)優(yōu)勢(shì)、集成優(yōu)勢(shì)等）；
5.附注Reference，如報(bào)告中引用的其他數(shù)據(jù)、文獻(xiàn)出處。

（二）

● 初賽截止時(shí)，需要向組委會(huì)提交《IP設(shè)計(jì)報(bào)告》作為評(píng)審依據(jù)，報(bào)告格式為Word或PPT，報(bào)告內(nèi)容必須包括但不僅限于以下項(xiàng)：
1.首頁(yè)包含參賽作品名、參賽隊(duì)名、各隊(duì)員姓名（其中隊(duì)長(zhǎng)為第一作者在最前并寫(xiě)明職務(wù)）信息；
2.整體IP設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介（Introduction），包括但不限于：主要性能指標(biāo)、技術(shù)突出點(diǎn)簡(jiǎn)介、IP應(yīng)用場(chǎng)合、原理圖中器件總數(shù)、用到的至少兩款國(guó)產(chǎn)EDA工具名稱(chēng)等；
3.IP設(shè)計(jì)思路和系統(tǒng)框圖（Pin Block Diagram）；
4.各Pin功能的解釋表；
5.Specification性能指標(biāo)要求表，其中需要至少包含行業(yè)通用的性能指標(biāo)（如ADC的SNDR,ENOB,SFDR,THD,DNL,INL等）和功耗、面積、靜態(tài)功耗（關(guān)斷功耗）指標(biāo)；
6.各部分子模塊的電路圖（可選）和原理說(shuō)明，如涉及企業(yè)技術(shù)機(jī)密，需要至少說(shuō)明關(guān)鍵模塊的大致原理框圖；
7.整體版圖的截圖（可選）和說(shuō)明，如涉及企業(yè)技術(shù)機(jī)密，需要至少版圖的Floorplan圖并用標(biāo)尺標(biāo)出面積尺寸；
8.DRC&LVS clean的報(bào)告截圖，其中DRC不要求pattern density結(jié)果clean，如有其他偽錯(cuò)可以忽略，需要特別說(shuō)明；
9.關(guān)鍵性能指標(biāo)的IP整體仿真（最好是后仿真）的至少5個(gè)corner結(jié)果：TT/常溫/常電壓，SS/高溫/低電壓，F(xiàn)F/低溫/高電壓，SS/低溫/低電壓，F(xiàn)F/高溫/高電壓，鼓勵(lì)更多corner結(jié)果、鼓勵(lì)蒙特卡洛（或部分關(guān)鍵模塊蒙特卡洛）結(jié)果；
10.使用到的各類(lèi)國(guó)產(chǎn)EDA工具的使用過(guò)程和運(yùn)行結(jié)果簡(jiǎn)介（可穿插于以上幾項(xiàng)中介紹）；
11.后仿真各性能指標(biāo)結(jié)果和Specifications對(duì)照結(jié)論表；
12.附注Reference，如報(bào)告中引用的其他數(shù)據(jù)、文獻(xiàn)出處。